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haadf前沿信息_haadf-stem全称(2024年12月实时热点)

内容来源：友软网络所属栏目：教程更新日期：2024-12-02

haadf

透射电镜（TEM测试）全解析透射电镜（TEM测试）是一种强大的材料分析工具，能够提供多种观察和测量手段。以下是它的主要功能：普通形貌观察：直接观察材料的微观形貌。 HRTEM（高分辨率透射电镜）：提供高分辨率的图像，揭示材料的晶体结构。 EDS点/线/面（Mapping）：进行元素分布分析，生成元素映射图像。选区衍射：通过选区衍射分析，研究材料的晶体结构和缺陷。 STEM/HAADF：利用扫描透射电镜和高角度环形暗场成像，提供更详细的材料信息。这些功能使得透射电镜成为材料科学、纳米技术、电子工程等领域的重要研究工具。

tem图像透射电镜（TEM）测试，真的是探索微观世界的一大利器！它不仅能让你看到普通形貌，还能通过高分辨率透射电镜（HRTEM）看到更细致的结构。更酷的是，它还能进行能量散射谱（EDS）分析，无论是点、线还是面（Mapping），都能轻松搞定。选区衍射和STEM/HAADF成像也是它的拿手好戏。简单来说，TEM测试可以帮你看到那些肉眼看不到的东西，给你一个全新的视角来理解材料的世界。无论是科研还是工业应用，TEM都是不可或缺的强大工具。𐟌Ÿ

电镜明星齐聚！谁最亮眼？ 𐟎“ 电镜界的四大明星：透射电镜/TEM、扫描电镜/SEM、原子力显微镜/AFM、激光扫描共聚焦显微镜/CLSM～～～ 𐟔 扫描电镜/SEM 作用：主要用于观察表面形貌、断口形貌以及微区化学成分分析。项目：表观形貌、EDS能谱点扫、EDS能谱线扫、EDS能谱面扫/Mapping（镀金后可拍摄弱磁/强磁样品）。推荐仪器：捷克泰思肯/TESCAN MIRA3 𐟔젩€射电子显微镜/TEM 作用：通过聚焦电子束投射到非常薄的样品上，形成透射电子束或衍射电子束的图像，分析样品内部的微观组织结构。项目：表面形貌、EDS能谱点扫、EDS能谱线扫、EDS能谱面扫/Mapping、HAADF(STEM)、衍射（非磁/弱磁/强磁样品均可拍摄）。推荐仪器：日本电子/JEOL JEM-1200、日本日立/HITACHI HT7800(120KV) 𐟌 原子力显微镜/AFM 作用：研究固体材料（包括绝缘体）的表面形貌结构信息和表面粗糙度。项目：表面形貌/粗糙度、厚度、相图、力曲线、杨氏模量、KPFM、PFM、C-AFM、EFM、LFM、MFM、Force Mapping、原位、液下、原子力显微镜-红外联用。推荐仪器：德国布鲁克/Bruker Maltimode8、德国布鲁克/Bruker Dimension ICON 𐟌🠦🀥…‰扫描共聚焦显微镜/CLSM 作用：应用于细胞或组织的形态结构观察、生物活性物质追踪和基因表达调控等研究。项目：细胞live/dead、探针在细胞内成像、免疫荧光、细胞器亚定位、组织成像、各类成分的多标记3D成像。推荐仪器：日本VL200DX-SVF17SP

透射电镜制样指南：从样品到观察嘿，大家好！今天我们来聊聊透射电镜（TEM）制样的那些事儿。透射电镜可是个宝贝，能帮你看到材料内部的秘密，像普通形貌、HRTEM、EDS点/线/Mapping、选区衍射、STEM/HAADF等等，简直无所不能。不过，要想从透射电镜里看到漂亮的图像，样品的准备可是关键。样品要求 𐟓 首先，样品的状态有很多种，粉末、块状、薄膜、液体都可以测试。但要注意，块状和薄膜样品不能直接拍摄，需要经过一些处理，比如离子减薄、包埋切片、FIB等，让样品的厚度不超过100nm。一般来说，普通铜网或微栅铜网就足够了，如果颗粒直径小于10nm，那就得用超薄碳膜了。如果样品中含有Cu元素，还需要拍摄EDS能谱和Mapping，这时候可以选择镍网或钼网。溶剂选择 𐟒犥𘸧”觚„溶剂是乙醇，其次是水。乙醇容易挥发，而且不会在碳膜上留下痕迹。其他溶剂可能会在碳膜上留下印迹，所以大家可以根据自己的需求选择。超声时间一般默认是5分钟。仪器型号 𐟔슥𘂩⤸Š有很多型号的透射电镜，比如日本的JEOLJEM-2100 COOl和日立的HTACHIHT7800(120kV)。不同的仪器有不同的特点和适用范围，大家可以根据自己的需求选择合适的型号。其他测试方法 𐟔犩™䤺†透射电镜，还有很多其他测试方法可以帮你更好地了解材料的性质。比如电感耦合等离子体ICPOES/MS、有机元素分析EA、场发射电子扫描电镜SEM、CNS元素分析仪、电子背散射衍射EBSD、氨基酸分析仪、能量色散X射线光谱EDX、X-射线荧光光谱XRF、电子能量损失谱EELS、离子色谱IC等等。物性分析 𐟓Š 如果你对材料的物理性质感兴趣，还可以进行热学性能测试，比如氩离子抛光、热重分析TG-DTG、球差透射电镜AC-TEM、差示扫描量热仪DSC、原子力显微镜AFM等。声光电磁方面的测试也有不少选择，比如电子自旋共振波谱ESR/EPR、振动样品磁强计VSM、液体/固体核磁共振NMR/SSNMR、荧光类测试、霍尔效应测试Hall等。结语 𐟎“ 总之，透射电镜制样是一门技术活，但只要你掌握了这些基本知识，就能轻松上手。希望这篇文章能帮到你，让你在透射电镜的世界里畅游无阻！如果你有任何问题或想法，欢迎在评论区留言哦！

北京电镜实验室：探索微观世界的秘密 𐟔 北京电镜实验室，位于中国的心脏地带，是探索材料微结构和成分分析的理想之地。这里拥有先进的设备和技术，为科研人员和工程师提供了一个完美的平台。 𐟔젥ꌥš„主要设备包括JEOL ARM 200F球差电镜，能够提供高分辨率的HAADF-STEM和ABF-STEM成像，以及EELS点、线、面和EDS点、线、面分析服务。其卓越的分辨率和放大倍数，使得微观尺寸和成分分析成为可能，分辨率高达0.078 nm（STEM）和0.11 nm（TEM），放大倍数从100倍到150000000倍不等。 𐟒ᠥꌥš„服务范围广泛，包括电镜检测、材料微结构分析、成分分析以及先进工艺制程监控。无论是高端刻蚀机台及PVD、CVD机台工艺验证，还是原材料品控，这里都能提供专业的分析服务，确保技术达标。 𐟛 ️ 实验室还提供样品制备、截面分析以及TEM样品表征等服务。无论是SEM、FIB-SEM、TEM还是ACTEM，这里都能满足您的需求。此外，实验室还提供纳米线纵向切割、超品格薄膜样品以及磁隧道结多层膜等特殊样品的制备服务。 𐟑袀𐟎“ 实验室由中科院博士团队领衔，提供数据分析以及培训服务。我们的本地化服务能力和产能优势，确保您能够获得最专业的技术支持和服务。 𐟔砦— 论是科研探索还是工业应用，北京电镜实验室都是您不可或缺的合作伙伴。让我们一起探索微观世界的奥秘，开启科学的全新篇章！

磷化铟（InP）纳米脊线内的InGaAs脊量子阱生成机制 ? 前言：镓锗砷化铟（InGaAs）脊量子阱是一种精妙无比的纳米结构，它具有很强的光电子学和量子光学应用潜力，在光电子集成领域中，纳米结构的引入不仅可以调控材料的光学特性和载流子输运过程，还可以在光子和电子限域效应下实现独特的量子行为，为实现高度可调控的光电子学器件提供了助力。 ? 在下面的研究中，我们将对磷化铟（InP）纳米脊线内的InGaAs脊量子阱的生成、结构和光学特性进行深入研究，实验数据将由能量色散光谱和电子显微镜技术的综合应用表征。 ? 实验的开始，先嵌入Si衬底上InP纳米脊内的InGaAs量子结构的生成机制，目的是在Si衬底上搭建多个相同的 InGaAs 量子结构，并利用原子平滑再生成模板的缺陷捕获能力扫除缺陷。 ? 这次研究中使用的Si衬底具有较厚的氧化物间隔物（范围从300 nm到600 nm），沟槽开口约为450 nm，相邻沟槽之间的间距约为550 nm。 ? 生成过程遵循InGaAs量子结构的机制，但添加了延长的第二个HT-InP 缓冲区，以促进不同 InGaAs 量子结构的形成，主要区别在于，InGaAs 量子结构是在 InP 与 SiO2 间隔物接触后形成的，并呈现自限制形状。 ? 图1a显示了生成样品的俯视SEM图像，显示了大面积的均匀InP纳米脊阵列，图1b中放大的70度倾斜SEM图像显示了刻面生成，根据微观图像显示，InP 纳米脊在Si衬底上形成良好且排列整齐。 ? 接下来，我们先使用横截面透射电子显微镜 (TEM) 来检查V形槽在Si基板上的InGaAs量子结构，然后再使用高角度环形暗场扫描透射电子显微镜(HAADF-STEM)进行分析。 ? 图2a显示了V形槽Si上典型InP纳米脊的HAADF-STEM图像，并且可以在InP纳米脊的上部清楚地识别出堆叠的InGaAs量子阱结构，在该特定结构中，每个QWR的生成时间为15秒。 ? 图2c是前三个QWR（量子线）的放大HAADF-STEM图像，显示出宽度为30 nm、高度为20 nm的三角形。 ? 除此以外，我们沿着纳米脊还发现了厚度为3 nm的InGaAs量子阱（图2b），这些量子阱具有均匀的厚度并表现出尖锐的InGaAs/InP界面。 ? 根据我们的观察，与其他前三个QWR相比，第一个QWR具有更大的尺寸，这可能是由于 InGaAs 层制备过程中的生成中断造成的。 ? 通过消除生成中断，如图3a所示，可以获得均匀的InGaAs量子结构，然而，脊QW的存在被一些科研人员认为对高效反应来说是负面的，因为它们更容易受到从III-V/Si界面传播的缺陷的影响，因此，消除脊QW以增强量子限制,并最大限度地减少载流子从QWR逃逸到脊QW至关重要。 ? 为了将InGaAs量子线结构与QW解耦并实现更好的量子限制，研究人员缩短了InGaAs层的生成时间，图3a显示了四个堆叠式InGaAsQWR的横截面TEM图像，生成时间缩短为2秒，与15秒生成的QWR相比，较短生成时间有效抑制了脊状QW的形成。 ? 放大图3b中的QWR，可以看到与生成时间较长的QWR类似的线结构，这表明生成时间的减少不会显著影响整体线结构。 ? 随着进一步的缩短生成时间，我们将其缩短至1秒，然后降至0.5秒，导致QWR的垂直尺寸从 20 nm 缩小至 7 nm，然后再缩小至 2 nm，从图3c和图3d中放大的TEM图像可以明显看出这一信息。 ? 最后我们对其中一种 InGaAs 量子线 (QWR) 结构进行能量色散光谱 (EDS) 线扫描分析，以研究其沿垂直方向的化学成分，用于EDS测量的扫描线如图2c所示。 ? 图4所示的扫描结果表明，沿QWR的垂直方向，铟（In）和镓（Ga）的成分均表现出不均匀性，具体来说，铟成分从QWR的底部到顶部单调减少，而镓成分则显示出相反的趋势。 ? 结论：通过实验，我们观察到了在Si衬底上的InGaAs量子阱结构具有尖锐的InGaAs/InP界面，并且得知，通过消除脊状量子阱，可以实现更好的量子限制，最大限度地减少了载流子从量子线结构逃逸到脊状量子阱的现象。 ? 我们还发现通过控制InGaAs层的生成时间可以调节量子线结构的尺寸，进而实现电信频段发射波长的可调性，最后，通过EDS线扫描分析显示，在量子线结构的垂直方向，铟（In）和镓（Ga）的成分表现出了不均匀性，这将为进一步研究提供更多的信息。 ? 总结来讲，这次研究对InP纳米脊线内的InGaAs脊量子阱的生成机制、结构和光学特性进行了深入研究，为光电子学和量子光学应用提供了重要的理论支持，这些结果对于新型光电子学器件的开发具有战略意义。

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